Numărul de produs al producătorului:
STW70N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW70N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12877270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW70N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5140 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
446W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW70
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
600
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTH80N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH80N65X2-DG
PREȚ UNIC
8.12
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXKH70N60C5
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
301
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKH70N60C5-DG
PREȚ UNIC
14.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK953R2-40B,127
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
STP25N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STD80N6F7
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
