STD80N6F7
Numărul de produs al producătorului:

STD80N6F7

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STD80N6F7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

RFQ Online
12877287
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
a4qq
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STD80N6F7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD80

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STD80N6F7

Informații suplimentare

Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STB38N65M5

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

stmicroelectronics

STW18NM80

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

stmicroelectronics

STL90N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD8NM50N

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK