Numărul de produs al producătorului:
STW60NE10
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW60NE10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
12879150
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW60NE10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
STripFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW60N
Informații suplimentare
Alte nume
497-2643-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ75N10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ75N10P-DG
PREȚ UNIC
2.44
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTH110N10L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH110N10L2-DG
PREȚ UNIC
12.20
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STWA45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STF28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP