Numărul de produs al producătorului:
STW25N60M2-EP
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STW25N60M2-EP-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
600 Piese Noi Originale În Stoc
12876069
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STW25N60M2-EP Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2-EP
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
188mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW25
Informații suplimentare
Alte nume
STW25N60M2-EP-DG
497-STW25N60M2-EP
Pachet standard
600
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB5NK52ZD-1
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
STFW6N120K3
MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
STP60NE06L-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
