STL3NM60N
Numărul de produs al producătorului:

STL3NM60N

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STL3NM60N-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)

Inventar:

8766 Piese Noi Originale În Stoc
12876090
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STL3NM60N Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
188 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 22W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
STL3NM60

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
497-13351-2
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
nxp-semiconductors

PHB174NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

stmicroelectronics

STI200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

stmicroelectronics

STD30PF03L-1

MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

stmicroelectronics

STWA70N60DM2

MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247