Numărul de produs al producătorului:
STU150N3LLH6
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STU150N3LLH6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
2777 Piese Noi Originale În Stoc
12872319
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STU150N3LLH6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4040 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STU150
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
STU150N3LLH6-DG
497-12693-5
-497-12693-5
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STI40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
STL117N4LF7AG
MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
STD12N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
