Numărul de produs al producătorului:
STI40N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI40N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
811 Piese Noi Originale În Stoc
12872321
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI40N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2355 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI40
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-1138-STI40N65M2
497-15552-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI60R125CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
490
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI60R125CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL117N4LF7AG
MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
STD12N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
STB13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK