Numărul de produs al producătorului:
STP6NC60
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP6NC60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12876016
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
oJDL
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP6NC60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
PowerMESH™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP6N
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP80R900P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP80R900P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPP06N80C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5987
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP06N80C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP5NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
STD9NM40N
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
STP18NM60ND
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
