Numărul de produs al producătorului:
STI57N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STI57N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12876031
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STI57N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI57N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-497-13107-5
497-13107-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW58N65DM2AG
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW58N65DM2AG-DG
PREȚ UNIC
7.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL160N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
STFU28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STP14NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
