Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STP22NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP22NM60N-DG
Descriere:
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
945 Piese Noi Originale În Stoc
12880078
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP22NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP22
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx22NM60N
Informații suplimentare
Alte nume
497-10306-5
-497-10306-5
5060-STP22NM60N
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCP16N60N
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2766
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP16N60N-DG
PREȚ UNIC
3.03
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R190C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R190C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R199CPXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
512
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R199CPXKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.75
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R280C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
83
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R280C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R190E6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1985
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R190E6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STI21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
STB9NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK
STP35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO220
STB75NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK