FCP16N60N
Numărul de produs al producătorului:

FCP16N60N

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FCP16N60N-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

2766 Piese Noi Originale În Stoc
12946069
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FCP16N60N Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
SupreMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2170 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
134.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FCP16N60N Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FCP16N60N
FAIFSCFCP16N60N
Pachet standard
93

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
onsemi

2SK2632LS-CB11

2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-

fairchild-semiconductor

FCH077N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

fairchild-semiconductor

FCH47N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

international-rectifier

AUIRLS3034-7TRL

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK