Numărul de produs al producătorului:
STP10N65K3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP10N65K3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12875177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP10N65K3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB9N65APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
912
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB9N65APBF-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP11N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1996
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP5NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
STS5N15F4
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
STU9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
