Numărul de produs al producătorului:
STF8N60DM2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STF8N60DM2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FPAB
Inventar:
12875568
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STF8N60DM2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
449 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FPAB
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
STF8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK560A65Y,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK560A65Y,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
AOTF12N60L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
398
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOTF12N60L-DG
PREȚ UNIC
0.62
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STW35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
