Numărul de produs al producătorului:
STN1HNK60
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STN1HNK60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
45248 Piese Noi Originale În Stoc
12875578
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STN1HNK60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
156 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
STN1HNK60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-4668-6
497-4668-2
497-4668-1
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STW35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
