Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STF11NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STF11NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
RFQ Online
12879608
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
7
o
L
B
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STF11NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
STF11
Informații suplimentare
Alte nume
497-5886-5
STF11NM60N-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK560A65Y,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK560A65Y,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6007ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
129
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6007ENX-DG
PREȚ UNIC
0.92
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK7A60W,S4VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK7A60W,S4VX-DG
PREȚ UNIC
0.72
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK10A60W5,S5VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK10A60W5,S5VX-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK560A60Y,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK560A60Y,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF740
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
STW30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
STW38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK