Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6007ENX
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6007ENX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
129 Piese Noi Originale În Stoc
13524399
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6007ENX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6007
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
R6007ENX
Informații suplimentare
Alte nume
R6007ENXCT-ND
R6007ENXCT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPAN65R650CEXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
462
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N70X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N70X2M-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK8A65W,S5X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK8A65W,S5X-DG
PREȚ UNIC
0.66
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6009ENX
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
RSH100N03TB1
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
RTR020N05TL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
R6076MNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247