Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB80N20M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB80N20M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 61A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12870716
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB80N20M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4329 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx80N20M5
Informații suplimentare
Alte nume
497-10705-6
497-10705-1
497-10705-2
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SUM65N20-30-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5214
DiGi NUMĂR DE PARTE
SUM65N20-30-E3-DG
PREȚ UNIC
2.15
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
PSMN057-200B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
10239
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN057-200B,118-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFS4227TRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3850
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS4227TRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDB2614
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1095
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB2614-DG
PREȚ UNIC
2.03
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFS4127TRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
19998
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFS4127TRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.45
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP45N60DM6
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
STS26N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 26A 8SO
STB12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK