Numărul de produs al producătorului:
SUM65N20-30-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SUM65N20-30-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
5214 Piese Noi Originale În Stoc
12786003
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SUM65N20-30-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
SUM65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SUM65N20-30-E3CT
SUM65N20-30-E3-DG
SUM65N20-30-E3TR
SUM65N2030E3
SUM65N20-30-E3DKR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQD40131EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
SIUD406ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
