Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB25NM60N
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB25NM60N-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12872067
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB25NM60N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
160W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB25N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx25NM60N(-1)
Informații suplimentare
Alte nume
497-5003-1
497-5003-2
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6024ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6024ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6020ENJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
9101
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020ENJTL-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R199CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3260
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R199CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R099CPATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1212
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R099CPATMA1-DG
PREȚ UNIC
3.99
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6020KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1540
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6020KNJTL-DG
PREȚ UNIC
1.47
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB100NF03L-03-1
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
STU10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
STB80NF55L-08-1
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
STB80N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK