Numărul de produs al producătorului:
STB80NF55L-08-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB80NF55L-08-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
2277 Piese Noi Originale În Stoc
12872076
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB80NF55L-08-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
STripFET™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4350 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STB80N
Informații suplimentare
Alte nume
497-12542-5
STB80NF55L081
STB80NF55L-08-1-DG
-497-12542-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF3205ZLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3938
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF3205ZLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB80N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STD36NH02L
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
STP11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB