Numărul de produs al producătorului:
STB24N65M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB24N65M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12870187
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB24N65M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ M2
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB24N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-15304-1
497-15304-2
-497-15304-1
-497-15304-2
-497-15304-6
497-15304-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCB260N65S3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB260N65S3-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STI24N60M6
MOSFET N-CH 600V I2PAK
STD4N90K5
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
STP24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220