Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCB260N65S3
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCB260N65S3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
6 Piese Noi Originale În Stoc
12846420
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCB260N65S3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
FCB260
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCB260N65S3-DG
Fișe tehnice
FCB260N65S3
Informații suplimentare
Alte nume
488-FCB260N65S3TR
488-FCB260N65S3CT
488-FCB260N65S3DKR
FCB260N65S3-DG
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB18N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB18N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R280P7ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1086
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R280P7ATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.85
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STB20NM60D
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB20NM60D-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6015KNJTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2982
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6015KNJTL-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDY302NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
FDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
FDB42AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33