Numărul de produs al producătorului:
FDY302NZ
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDY302NZ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
16 Piese Noi Originale În Stoc
12846423
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDY302NZ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
625mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89-3
Pachet / Carcasă
SC-89, SOT-490
Numărul de bază al produsului
FDY302
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FDY302NZCT
FDY302NZTR
FDY302NZDKR
FDY302NZ-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDFS2P106A
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
FDB42AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
