Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB15N65M5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB15N65M5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12874356
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB15N65M5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ V
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
85W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB15N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STB,D15N65M5
Informații suplimentare
Alte nume
497-12969-2
497-12969-1
-497-12969-1
-497-12969-2
-497-12969-6
497-12969-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTA12N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTA12N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.28
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCB11N60TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
135
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCB11N60TM-DG
PREȚ UNIC
1.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPB11N60C3ATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2703
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB11N60C3ATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.53
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB60R299CPAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3987
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB60R299CPAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPB65R310CFDAATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1407
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB65R310CFDAATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL33N60M6
MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
STF16NM50N
MOSFET N-CH 500V 15A TO220FP
STW20NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
STP24NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A TO220