Numărul de produs al producătorului:
SCTH50N120-7
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCTH50N120-7-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventar:
12877144
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCTH50N120-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
270W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numărul de bază al produsului
SCTH50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SCTH60N120G2-7
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SCTH60N120G2-7-DG
PREȚ UNIC
18.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
