STI360N4F6
Numărul de produs al producătorului:

STI360N4F6

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STI360N4F6-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

RFQ Online
12877158
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STI360N4F6 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
17930 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262 (I2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STI360N

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
STI360N4F6, STP360N4F6

Informații suplimentare

Alte nume
STI360N4F6-DG
-497-14565-5
497-14565-5
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STP33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

stmicroelectronics

STP190N55LF3

MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3

stmicroelectronics

STB76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STF11N65K3

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP