Numărul de produs al producătorului:
SCT50N120
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT50N120-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventar:
12874195
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT50N120 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
318W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
HiP247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-1138-SCT50N120
497-16598-5
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G3R40MT12D
PRODUCĂTOR
GeneSiC Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1725
DiGi NUMĂR DE PARTE
G3R40MT12D-DG
PREȚ UNIC
12.88
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
MSC040SMA120B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
61
DiGi NUMĂR DE PARTE
MSC040SMA120B-DG
PREȚ UNIC
16.98
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STH400N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STB36NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
