MSC040SMA120B

Numărul de produs al producătorului:

MSC040SMA120B

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

MSC040SMA120B-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 66A (Tc) 323W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

61 Piese Noi Originale În Stoc

13259557

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

MSC040SMA120B Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microchip Technology

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 2mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

137 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+23V, -10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1990 pF @ 1000 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

323W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247-3

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

MSC040

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

nexperia

GAN039-650NTBZ

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

2N7002AKS-QX

MOS DISCRETES

nexperia

2N7002AK-QR

MOS DISCRETES

BSS138AKS-QX

MOS DISCRETES