Numărul de produs al producătorului:
S2M0040120D
Product Overview
Producător:
SMC Diode Solutions
DiGi Electronics Cod de parte:
S2M0040120D-DG
Descriere:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
Inventar:
221 Piese Noi Originale În Stoc
13001582
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
S2M0040120D Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
SMC Diode Solutions
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Informații suplimentare
Alte nume
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
