FDMC035N10X1
Numărul de produs al producătorului:

FDMC035N10X1

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

FDMC035N10X1-DG

Descriere:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventar:

13001583
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDMC035N10X1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2675 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.3W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pachet / Carcasă
8-PowerWDFN

Informații suplimentare

Alte nume
488-FDMC035N10X1
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

infineon-technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3