Numărul de produs al producătorului:
TT8M3TR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
TT8M3TR-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13524868
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TT8M3TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A, 2.4A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 10V
Putere - Max
1W
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Numărul de bază al produsului
TT8M3
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TRCT
TT8M3TRDKR
TT8M3CT
TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
TT8M3TRDKR-ND
TT8M3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HP8MA2TB1
MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
SP8K33FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
US6J2TR
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6