HP8MA2TB1

Numărul de produs al producătorului:

HP8MA2TB1

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

HP8MA2TB1-DG

Descriere:

MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP

Descriere detaliată:

Mosfet Array 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventar:

2354 Piese Noi Originale În Stoc

13524874

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

HP8MA2TB1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

N and P-Channel

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

18A (Ta), 15A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 25nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V

Putere - Max

3W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerTDFN

Pachet dispozitiv furnizor

8-HSOP

Numărul de bază al produsului

HP8MA2

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

HP8MA2TB1CT

HP8MA2TB1TR

HP8MA2TB1DKR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

rohm-semi

SP8K33FRATB

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

rohm-semi

US6J2TR

MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

rohm-semi

SH8M13GZETB

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP

rohm-semi

QS8J5TR

MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8