Numărul de produs al producătorului:
SH8KE7TB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SH8KE7TB1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 100V 8A 8SOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 100V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
2500 Piese Noi Originale În Stoc
12953603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SH8KE7TB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel
Caracteristică FET
Standard
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20.9mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 50V
Putere - Max
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Numărul de bază al produsului
SH8KE7
Informații suplimentare
Alte nume
846-SH8KE7TB1CT
846-SH8KE7TB1TR
846-SH8KE7TB1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
SI4532ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
