Numărul de produs al producătorului:
SI4532ADY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4532ADY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12953904
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4532ADY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.7A, 3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.13W, 1.2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4532
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4532ADY-T1-E3DKR
SI4532ADY-T1-E3TR
SI4532ADY-T1-E3CT
SI4532ADY-T1-E3-DG
SI4532ADYT1E3
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4532CDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4029
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4532CDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
SI4532DY
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
25774
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4532DY-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI6975DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
CAS480M12HM3
SIC 2N-CH 1200V 640A MODULE
SQJB02ELP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
