Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SCT3060ALGC11
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT3060ALGC11-DG
Descriere:
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventar:
RFQ Online
13525606
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT3060ALGC11 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 6.67mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
852 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247N
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT3060
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
TO-247N Inner Structure
Documente de fiabilitate
MOS-3GTHD Reliability Test
Fișe tehnice
SCT3060ALGC11
TO-247N Taping Spec
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFX64N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
911
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX64N60P-DG
PREȚ UNIC
13.25
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R080P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
423
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R080P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.60
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX80N60P3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX80N60P3-DG
PREȚ UNIC
11.27
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCH072N60F
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
23880
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH072N60F-DG
PREȚ UNIC
4.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
MSC060SMA070B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
26
DiGi NUMĂR DE PARTE
MSC060SMA070B-DG
PREȚ UNIC
6.90
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RSF015N06FRATL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
RZR040P01TL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RSS120N03TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
RT1E040RPTR
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST