Numărul de produs al producătorului:
RT1E040RPTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RT1E040RPTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
13525624
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RT1E040RPTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
550mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RT1E040
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RT1E040RPCT
RT1E040RPTRDKR
RT1E040RPTRDKR-ND
RT1E040RPDKR
RT1E040RPTRTR
RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
RT1E040RPTRTR-ND
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RSS090P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
RYE002N05TCL
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
R6030JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
