Numărul de produs al producătorului:
SCT3040KLHRC11
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT3040KLHRC11-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
Inventar:
871 Piese Noi Originale În Stoc
13526378
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT3040KLHRC11 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1337 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
262W
Temperatura
175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247N
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT3040
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RS1P600BETB1
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
RQ5C060BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
R6007JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
