Numărul de produs al producătorului:
RCX120N20
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RCX120N20-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
13526394
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RCX120N20 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
325mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
RCX120
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRLI630GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
991
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLI630GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.08
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFI630GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1686
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI630GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.16
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
RK7002AT116
MOSFET N-CH 60V 300MA SST3
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
