Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RUM001L02T2CL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RUM001L02T2CL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventar:
784778 Piese Noi Originale În Stoc
13525823
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RUM001L02T2CL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7.1 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VMT3
Pachet / Carcasă
SOT-723
Numărul de bază al produsului
RUM001
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
VMT3M Inner Structure
Ghid de numerotare a pieselor
P/N Explanation for Transistors
Documente de fiabilitate
VMT3 MOS Reliability Test
Fișe tehnice
RUM001L02T2CL
Product Catalog Transistors
VMT3 T2L Taping Spec
Informații suplimentare
Alte nume
RUM001L02T2CLTR
RUM001L02T2CLDKR
RUM001L02T2CLCT
RUM001L02T2CL-ND
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RP1A090ZPTR
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
RTR030N05TL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
RQ6E035SPTR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8