Numărul de produs al producătorului:
RP1A090ZPTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RP1A090ZPTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventar:
13525826
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RP1A090ZPTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7400 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
MPT6
Pachet / Carcasă
6-SMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
RP1A090
Informații suplimentare
Alte nume
RP1A090ZPDKR
RP1A090ZPCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RTR030N05TL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
RQ6E035SPTR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
