Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
RUE003N02TL
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RUE003N02TL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventar:
82653 Piese Noi Originale În Stoc
13526630
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RUE003N02TL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
EMT3
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Numărul de bază al produsului
RUE003
Informații suplimentare
Alte nume
RUE003N02TLTR
Q6107914
RUE003N02TLDKR
RUE003N02TLCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMG1012T-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
435659
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG1012T-7-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SSM3K36FS,LF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
234
DiGi NUMĂR DE PARTE
SSM3K36FS,LF-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDY301NZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
312
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDY301NZ-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
RUF025N02FRATL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
R6003KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
RSS090N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP