DMG1012T-7

Numărul de produs al producătorului:

DMG1012T-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMG1012T-7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventar:

435659 Piese Noi Originale În Stoc

12884464

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMG1012T-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

630mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

0.74 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±6V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

60.67 pF @ 16 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

280mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-523

Pachet / Carcasă

SOT-523

Numărul de bază al produsului

DMG1012

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMG1012T-7DITR

DMG1012T-7DICT

DMG1012T-7-DG

DMG1012T7

Q4768583

DMG1012T-7DIDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMG2301LK-13

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23

diodes

DMTH4007LK3-13

MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252

diodes

DMN3005LK3-13

MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3

diodes

2N7002T-13-G

MOSFET N-CH 60V SOT523