Numărul de produs al producătorului:
RT1A040ZPTR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RT1A040ZPTR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventar:
12818103
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RT1A040ZPTR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSST
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
RT1A040
Informații suplimentare
Alte nume
846-RT1A040ZPTR
RT1A040ZPDKR
RT1A040ZPCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RT1A040ZPTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
RT1A040ZPTR-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RMW150N03TB
MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP
R6004KNJTL
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
RQ6E045BNTCR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT