Numărul de produs al producătorului:
RS3E135BNGZETB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS3E135BNGZETB-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
2565 Piese Noi Originale În Stoc
13527429
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS3E135BNGZETB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
RS3E
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RS3E135BNGZETBTR
RS3E135BNGZETBCT
RS3E135BNGZETBDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDN150N20FU6
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN
RQ6E055BNTCR
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252