Numărul de produs al producătorului:
RQ6E055BNTCR
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RQ6E055BNTCR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventar:
2970 Piese Noi Originale În Stoc
13527431
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RQ6E055BNTCR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
355 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TSMT6 (SC-95)
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
RQ6E055
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RQ6E055BNTCRCT
RQ6E055BNTCRTR
RQ6E055BNTCRDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDC855N
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
10062
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC855N-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
RCD075N20TL
MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3
RD3T050CNTL1
MOSFET N-CH 200V 5A TO252