Numărul de produs al producătorului:
FDC855N
Product Overview
Producător:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
FDC855N-DG
Descriere:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
10062 Piese Noi Originale În Stoc
12946497
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDC855N Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
PowerTrench®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
655 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SuperSOT™-6
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
FAIFSCFDC855N
2156-FDC855N
Pachet standard
1,265
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
