FDD6N25TM
Numărul de produs al producătorului:

FDD6N25TM

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FDD6N25TM-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

1059249 Piese Noi Originale În Stoc
12946511
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

FDD6N25TM Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
UniFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
FDD6N25TM Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
2156-FDD6N25TM
ONSFSCFDD6N25TM
Pachet standard
1,086

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FDD6680AS

MOSFET N-CH 30V 55A TO252

international-rectifier

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDC8886

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF2907ZPBF

IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW