Numărul de produs al producătorului:
RS1P600BHTB1
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS1P600BHTB1-DG
Descriere:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2440 Piese Noi Originale În Stoc
12976099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS1P600BHTB1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4080 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
RS1P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RS1P600BHTB1TR
846-RS1P600BHTB1CT
846-RS1P600BHTB1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS1P600BHTB1
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2440
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1P600BHTB1-DG
PREȚ UNIC
1.25
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT4062KRC15
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE