Numărul de produs al producătorului:
RS1E280GNTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS1E280GNTB-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
284 Piese Noi Originale În Stoc
12818234
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS1E280GNTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
RS1E
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
846-RS1E280GNTR
RS1E280GNTBDKR
846-RS1E280GNDKR
846-RS1E280GNCT
RS1E280GNTBCT
RS1E280GNTBTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RS1E280GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
284
DiGi NUMĂR DE PARTE
RS1E280GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH8330TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
IRFSL7730PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
EPC2030
GANFET NCH 40V 31A DIE
