Numărul de produs al producătorului:
RS1E200GNTB
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
RS1E200GNTB-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventar:
2460 Piese Noi Originale În Stoc
13527276
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RS1E200GNTB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-HSOP
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
RS1E
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSC042N03LSGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
11717
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSC042N03LSGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6035KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
RDN050N20FU6
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
